一般我们在做到电路设计时候，三极管开关电路和MOS管开关电路具有以下四种区别：首先是三极管是用电流掌控，MOS管归属于电压掌控;然后就是成本问题，三极管低廉，MOS管贵;其次是功耗问题，三极管损耗大;最后是驱动能力，MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。实质上就是三极管较为低廉，用一起便利，常用在数字电路电源掌控。　　MOS管用作高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极掌控电流较为脆弱的地方。

一般来说低成本场合，普通应用于的先考虑到用三极管，敢的话考虑到MOS管。实质上说道电流掌控快，电压掌控慢这种解读是不该的。要确实解读得理解双近于晶体管和MOS晶体管的工作方式才能明白。

　　三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射近于追随器为事例，当基极加不加电压时，基区和发射区构成的pn结成制止多子(基区为空穴，发射区为电子)的蔓延运动，在此pn结处不会感应器出有由发射区指向基区的静电场(即内辟电场)，当基极另加于是以电压的指向为基区指向发射区，当基极另加电压产生的电场小于内辟电场时，基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的于是以一行合电压(工程上一般指出0.7v)。但此时每个pn拢的两侧都会有电荷不存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场起到下，发射区的电子往基区运动(实质上都是电子的反方向运动)，由于基区宽度较小，电子很更容易跨过基区抵达集电区，并与此处的PN的空穴填充(附近集电极)，为保持均衡，在于是以电场的起到下集电区的电子加快外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似于一个雪崩过程。

集电极的电子通过电源返回发射极，这就是晶体管的工作原理。　　三极管工作时，两个pn结都会感应器出有电荷，当作电源管正处于导通状态时，三极管正处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应器的电荷要完全恢复到平衡状态，这个过程必须时间。而MOS三极管工作方式有所不同，没这个完全恢复时间，因此可以用于高速电源管。

　　场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只容许从信号源所取较较少电流的情况下，省辖市用场效应管;而在信号电压较低，又容许从信号源所取较多电流的条件下，省辖市用晶体管。

　　场效应管是利用多数载流子导电，所以称作单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称作双极型器件。　　有些场效应管的源极和漏极可以交换用于，栅压也可于是以可负，灵活性比晶体管好。

场效应管能在较小电流和很低电压的条件下工作，而且它的生产工艺可以很便利地把很多场效应管构建在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中获得了普遍的应用于。　　场效应晶体管具备较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被普遍应用于各种电子设备中。特别是在用场效管做到整个电子设备的输出级，可以取得一般晶体管很难超过的性能。　　这里对于场效应管的自由选择来说，我们可以指出一般分为结型和绝缘栅型两大类，其掌控原理都是一样的。

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